CMOSイメージセンサ

読み方、または別称:しーもすいめーじせんさ

CMOSイメージセンサ(シーモスイメージセンサ)とは、CMOSを用いている固体撮像素子である。CMOSは、Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensorの略。CCDイメージセンサと同じで、フォトダイオードを使用しており、製造プロセスと信号の読み出し方が異なる。

原理の考案は、1960年代後半。実用化されたのは、1990年代以降である。この時期、半導体微細加工技術が高度化した時代でもある。CMOSの特徴は、単位セルごとに増幅器を持ち、光変換された電気信号の読み出しによる電気のノイズの発生を抑えることができる。

またCMOSロジックLSI製造プロセスを応用したことで、大量生産が可能となっている。その為、高電圧アナログ回路を持っているCCDイメージセンサと比較すると安価というメリットがある。また、素子が小さく消費電力も少ない点、原理的にスミアやブルーミングが発生しないなど、多くのメリットを持っている。

ただ、多くのメリットを持っていながらも低照度状況では素子が不安定になりやすく、撮影した画像にノイズが多くなる傾向がある。他にも、画素ごとに固定した増幅器が割り立てられるため、各増幅器の特性差によって固定パターンのノイズを持つ性質がある。よって、補正するために回路を要することになる。これらは、CMOSの弱点となる。

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