Magnetoresistive Random Access Memory

Magnetoresistive Random Access Memoryとは

Magnetoresistive Random Access Memoryとは磁気を利用した記憶素子で、Magnestic Ramdom Access Memory、MRAMとも呼ばれる。N-Sという磁力極性を利用した記憶媒体（磁気ディスク装置や磁気テープ装置など）ではなく、電子のスピン角運動量 スピンをメモリ素子として利用するスピントロニクスを採用している。
構造はおおよそDynamic Random Access Memory DRAMと似ており、DRAMにおけるコンデンサ キャパシタ部分をMTJ（Magnetic Tunnel Junction、磁気トンネル接合）素子に置き換えたような形をしている。MTJ部分には、各MTJを選択するための電界効果トランジスタ（MOS FET）
が附属している。MOS FETの上に、ワード線、その上にMTJ、その上にbit線が積み重なっている。

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