RAM の MRAMに関する解説。

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MRAM

読み方、または別称:えむらむ

MRAM( Magnetoresistive Random Access Memory, Magnetic Random Access Memory)は、磁気抵抗メモリ(じきていこうメモリ、)で、電子的な磁気を利用した記憶素子のことである。
すなわち、磁気を利用すると言ってもN-Sという磁力極性を利用した記憶媒体(磁気ディスク装置や磁気テープ装置)ではなく、電子のスピンをメモリ素子として利用するスピントロニクスを採用している。
素子の構造はDRAMと極めて似ていて、DRAMでのキャパシタ部分がMTJ(Magnetic Tunnel Junction、磁気トンネル接合)素子に置き換わった形をしている。肝心のMTJ部分には、各MTJを選択するための電界効果トランジスタ(MOS FET)が附けられている。
なお、MRAMの記憶はMTJで行なうが、MTJは2つの強磁性層の片方は磁化が固定されており、他方は磁化が可変で、その間に薄い絶縁層がある。このように、一方の磁性層の磁化の方向を固定し、他方を変化させることで抵抗値を切り替えことで0と1に対応させている。

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