FRAM

FRAMとは

強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいメモリ、英: Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM）は、強誘電体のヒステリシス（履歴現象）を利用し正負の自発分極を1と0に対応させた、不揮発性の半導体メモリ。強誘電体膜の分極反転時間は速い（1ns以下）ためDRAM並みの高速動作が期待できる。

FRAMとも呼ばれるが、これはRamtron社の登録商標である。
（強誘電体メモリより引用）

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