基盤技術 の FETに関する解説。

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FET

読み方、または別称:えふいーでぃー

FET(Field Effect Transistor)とは、ゲート電極に電圧をかけ電界にゲートを生じさせることによって電流を制御するトランジスタ構造のひとつ。また、電界効果トランジスタ、ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
ソース、ゲート、ドレインの三つの端子を持っており、その中のゲート端子に電圧をかけることにより、ソースとドレインの間を通る電子や正孔の流れをコントロールする。ゲート入力抵抗が高いことが特徴。FETは小型化に適しているため、集積回路の中の論理回路やセンサ素子などによく利用されている。
具体的な構造としては、金属・半導体酸化物・半導体の三層構造であるMOSFET(MetalOxideSemiconductor)が多い。これは、半導体の基板上に絶縁体となる酸化膜をつけ、その上に導体である金属のゲート電極されている構造になっている。
MOSFETは特に論理回路の素子として多くの回路に使用されている。

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