基盤技術 の 電界効果トランジスタに関する解説。

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電界効果トランジスタ

読み方、または別称:でんかいこうかとらんじすた

電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ)は、英語ではField effect transistor、略してFETと言う。FETの原理はトランジスタのゲート電極に電圧を与え、チャネルの電界で電子の流れに門(ゲート)を設けることで、ソースとドレイン端子間の電流をコントロールする。
接合型トランジスタは二種類のキャリアを使うバイポーラトランジスタであるが、一方で電界効果トランジスタは一種類のキャリアだけを使うユニポーラトランジスタである。
FETはその特性を生かして、スイッチング素子や増幅素子として利用されるが、ゲート電流が小さいことと、構造が平面的なので、バイポーラトランジスタと比べた場合、製造が容易でかつ集積化もし易い。
そのため、全ての電子機器で使われる集積回路には無くてはならない重宝な素子であり、デジタル回路では論理回路の基本素子として使われ、アナログ回路ではトランシーバの送受信用の各種回路でも使われている。

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