ハードディスク の 磁気抵抗効果に関する解説。

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磁気抵抗効果

読み方、または別称:じきていこうこうか

磁気抵抗効果(じきていこうこうか)とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象のことで、1856年にウィリアム・トムソンによって発見された。紛らわしいが、磁気抵抗とはまったく異なる現象となる。
磁気抵抗効果は、わずか5%だけ変化していたが、後に普通の磁気抵抗効果と呼ばれるようになり、今日では巨大磁気抵抗効果やトンネル磁気抵抗効果が発見されている。前者は、普通の金属の磁気抵抗効果が5%(数%)とすると、1nm程度の強磁性薄膜と非強磁性薄膜を重ねた多層膜には、数十%異常の磁気抵抗比を示す。こういった現象を、巨大磁気抵抗効果という。
一方後者は、トンネル磁気接合素子において、電圧をかけることに絶縁体にトンネル電流が流れ、抵抗値が変化する現象のことである。ハードディスクドライブの超高記録密度化やMRAMに応用されており、大幅な素子の微細化が可能となる。
この値が大きいほど、トンネル磁気抵抗効果は大きいことになる。1995年には室温でのMR比は20%程度であったが、2007年には500%のMR比が得られるようになっている。

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