基盤技術 の CVDに関する解説。

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CVD

読み方、または別称:しーぶいでぃー

CVD(Chemical Vapor Deposition)とは、化学気相成長、化学気相蒸着または化学蒸着のことを意味する。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法の1つで、石英でできた反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜成分を含む原料ガスを供給、基板表面または気相での化学反応で膜を堆積する方法である。
常圧や加圧した状態で運転ができるほか、化学反応を活性化させることで反応管内を減圧し、プラズマを発生させる場合もある。一般的に、切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において使われる。
特徴として、1.高真空を必要とせず、製膜速度や処理面積を比べ装置規模が大きい、2.製膜速度が速く、処理面積が大きい、3.PVD、MBEなどの真空蒸着と比べ凹凸のある表面でも満遍なく製膜可能である、4.基板表面と供給する気相の化学種を選ぶことで、基板表面の特定部位だけに選択的に成長可能である。
供給する化学種や求める特性などで、さまざまなバリエーションがある。もっとも基本的になっているのは、化学反応制御に熱を用いる「熱CVD」である。

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